我国科学家发明新型“热发射极”晶体管
发布时间:2024-08-20 发布来源:科技日报
该所研究员刘驰、孙东明和中国科学院院士成会明主导的研究团队合作,发明出一种由石墨烯和锗等混合维度材料构成的“热发射极”晶体管,并提出了一种全新的“受激发射”热载流子生成机制。相关研究成果近日发表在学术期刊《自然》上。
晶体管是集成电路的基本单元。
随着晶体管尺寸的不断缩小,
其进一步发展的技术挑战日益增多。
据介绍
这款新型晶体管由两个耦合的“石墨烯/锗”肖特基结组成。载流子由石墨烯基极注入,随后扩散到发射极,并激发出受电场加热的载流子,从而导致电流急剧增加。这一设计使晶体管电流每变化一个数量级,所需的电压变化小于1毫伏,突破了传统晶体管的玻尔兹曼极限。此外,该晶体管在室温下还表现出峰谷电流比超过100的负微分电阻,展示出其在多值逻辑计算中的应用潜力。
研究人员表示
该研究通过可控调制热载流子来提高电流密度,开辟了晶体管器件研究的新领域,为热载流子晶体管家族增添了新成员。
图片来源|东西南北杂志社
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